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      正常我們?cè)谡婵諢崽幚碇谐Ｒ?jiàn)的斷口遺傳按形成機(jī)制可分為四類(lèi)，石狀斷口、偽斷口遺傳、與晶粒內(nèi)織構(gòu)有關(guān)的偽斷口遺傳、與回火脆性有關(guān)的斷口遺傳。常見(jiàn)的就這幾種，下面我們一一分析下。

①石狀斷口。

由于過(guò)熱,鋼中的MnS等將溶入奧氏體中,因Mn與S是內(nèi)表面活性物質(zhì),溶入奧氏體后將向奧氏體晶界偏聚,如果在過(guò)熱后緩慢冷卻,溶入奧氏體中的MnS將沿奧氏體晶界析出,再次正常溫度加熱時(shí)雖然粗大組織得到了細(xì)化,但這些沿原粗大奧氏體晶界分布的MnS不能溶解,仍分布在原奧氏體晶界,使原奧氏體晶界弱化,故斷裂將沿原奧氏體晶界發(fā)生,形成粗大斷口,稱(chēng)為石狀斷口。

②偽斷口遺傳。

在過(guò)熱不太嚴(yán)重時(shí),沿原粗大奧氏體晶界來(lái)析出MnS等的情況下仍有可能出現(xiàn)斷口遺傳。出現(xiàn)這種斷口遺傳的原因是過(guò)熱淬火組織中速加熱時(shí)在原粗大奧氏體晶界形成的新的奧氏體的核只能往一側(cè)長(zhǎng)成球冠狀,故原粗大奧氏體晶粒邊界將成為新形成的小奧氏體晶粒邊界而被保留。當(dāng)引起斷裂的最大拉應(yīng)力與該晶界接近垂直時(shí)斷裂將沿該界面發(fā)展,在斷口上出現(xiàn)一個(gè)粗大的反光小平面,亦即此時(shí)斷裂既是沿新形成的小晶粒邊界,也是沿原粗大晶粒邊界發(fā)展的。當(dāng)裂紋發(fā)展到另一個(gè)與最大拉應(yīng)力不垂直的原粗大晶粒的邊界時(shí),裂紋將沿新形成的小晶粒邊界,穿越原粗大晶粒而發(fā)展,得到凹凸不平的細(xì)小的斷口表面。這二種斷口組合在一起便形成了類(lèi)似于粗晶的斷口,但實(shí)際上是沿新形成的小晶粒邊界斷裂的細(xì)晶斷口,故不降低鋼的韌性,可以認(rèn)為這是一種偽斷口遺傳。

③與晶粒內(nèi)織構(gòu)有關(guān)的偽斷口遺傳。

在發(fā)生穿晶準(zhǔn)解理斷裂時(shí)也可能出現(xiàn)一種偽斷口遺傳。穿晶解理斷裂和準(zhǔn)解理斷裂都是沿晶內(nèi)某低指數(shù)晶面發(fā)展的斷裂。過(guò)熱粗大組織轉(zhuǎn)變?yōu)榉瞧胶饨M織時(shí)新形成的貝氏體或馬氏體與原粗大的奧氏體之間保持KS關(guān)系。與同一個(gè)奧氏體晶粒保持KS關(guān)系的貝氏體或馬氏體可以有24個(gè)不同的空間取向。以中速加熱非平衡組織時(shí)形成的細(xì)小奧氏體晶粒也與貝氏體或馬氏體保持KS關(guān)系,同樣也可以具有許多不同的空間取向。但是由一個(gè)粗大奧氏體晶粒衍生出來(lái)的空間取向不同的眾多的細(xì)小奧氏體晶粒的低指數(shù)晶面很可能是平行的,這種現(xiàn)象被稱(chēng)為形成了晶內(nèi)織構(gòu)。如果穿晶準(zhǔn)解理斷裂是沿這樣的低指數(shù)晶面發(fā)展,將呈現(xiàn)出粗晶穿晶斷口

④與回火脆性有關(guān)的斷口遺傳。

當(dāng)?shù)诙握囟燃訜岽慊鸬玫郊?xì)小馬氏體組織后,如果在發(fā)生低溫回火脆性或高溫回火脆性的溫度區(qū)域回火,則伴隨著回火脆性的發(fā)生,將出現(xiàn)沿原粗大奧氏體晶界的斷裂,出現(xiàn)斷口遺傳。出現(xiàn)這類(lèi)斷口遺傳的原因是:第次過(guò)熱時(shí)在原奧氏體晶界發(fā)生了Cr、Ni、S、P等能促進(jìn)回火脆性的元素的偏聚。第二次正常溫度加熱時(shí),這些偏聚未能消除,因此在低溫回火時(shí),與在晶界上析出的碳化物起,使晶界弱化,發(fā)生沿原粗大奧氏體晶界的斷裂,出現(xiàn)斷口遺傳。如在發(fā)生高溫回火脆性的溫度回火,則這些偏聚的元素會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)Cr、Ni、S、P等有害元素向原粗大奧氏體晶界偏聚,使原粗大奧氏體晶界上的偏聚量高于后形成的細(xì)小奧氏體晶界上的偏聚量,故裂紋易于沿原粗大奧氏體晶界擴(kuò)展,形成粗大斷口,出現(xiàn)斷口遺傳。也有可能偏聚在原粗大奧氏體晶界上的Cr等元素促進(jìn)了回火時(shí)碳化物在晶界的析出,使晶界弱化出現(xiàn)回火脆性,導(dǎo)致斷口遺傳。

  顯然，如果在真空熱處理中能夠避免產(chǎn)品回火脆性，這種與回火脆性和應(yīng)力的斷口就不會(huì)出現(xiàn)了。所以熱處理中的回火也是非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。